Defect identification in semiconductors with positron annihilation: Experiment and theory

Näytä kaikki kuvailutiedot



Pysyväisosoite

http://hdl.handle.net/10138/306582

Lähdeviite

Tuomisto , F & Makkonen , I 2013 , ' Defect identification in semiconductors with positron annihilation: Experiment and theory ' , Reviews of Modern Physics , vol. 85 , no. 4 , pp. 1583-1631 . https://doi.org/10.1103/RevModPhys.85.1583

Julkaisun nimi: Defect identification in semiconductors with positron annihilation: Experiment and theory
Tekijä: Tuomisto, Filip; Makkonen, Ilja
Tekijän organisaatio: Helsinki Institute of Physics
Päiväys: 2013-11-14
Kieli: eng
Sivumäärä: 49
Kuuluu julkaisusarjaan: Reviews of Modern Physics
ISSN: 0034-6861
DOI-tunniste: https://doi.org/10.1103/RevModPhys.85.1583
URI: http://hdl.handle.net/10138/306582
Avainsanat: MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ELECTRONIC-STRUCTURE CALCULATIONS
DENSITY-FUNCTIONAL THEORY
TEMPERATURE-GROWN GAAS
ARSENIC-DOPED SILICON
AUGMENTED-WAVE METHOD
VACANCY-TYPE DEFECTS
2-DIMENSIONAL ANGULAR-CORRELATION
NORM-CONSERVING PSEUDOPOTENTIALS
PERIODIC BOUNDARY-CONDITIONS
114 Physical sciences
Vertaisarvioitu: Kyllä
Pääsyrajoitteet: openAccess
Rinnakkaistallennettu versio: publishedVersion


Tiedostot

Latausmäärä yhteensä: Ladataan...

Tiedosto(t) Koko Formaatti Näytä
RevModPhys.85.1583.pdf 3.267MB PDF Avaa tiedosto

Viite kuuluu kokoelmiin:

Näytä kaikki kuvailutiedot